期刊文章详细信息
基于韦布尔分布和对数正态分布的高功率半导体激光器寿命估计和失效分析研究 ( EI收录)
High power semiconductor laser lifetime prediction and failure analysis based on Weibull and Log-normal distribution
文献类型:期刊文章
Nie Zhiqiang;Wang Mingpei;Sun Yubo;Li Xiaoning;Wu Di(State Key Laboratory of Transient Optics and Photonics,Xi′an Institute of Optics and Precision Mechanics,Chinese Academy of Sciences,Xi′an 710119,China;University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;Focuslight Technologies Inc.,Xi′an 710077,China)
机构地区:[1]中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点试验室,陕西西安710119 [2]中国科学院大学,北京100049 [3]西安炬光科技股份有限公司,陕西西安710077
基 金:国家自然科学基金(61334010)
年 份:2019
卷 号:48
期 号:A01
起止页码:70-77
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2017、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:分别采用韦布尔分布和对数分布模型对额定功率60 W(CW条件下)的808 nm铟焊料封装的传导冷却型单巴高功率半导体激光器在恒定电流条件下进行的三个不同温度的加速老化试验数据进行分析并估计了常温下的寿命。在韦布尔分布统计分析中计算了各温度下器件的特征寿命和统计平均寿命,发现早期失效情况下形状参数小于1且数学平均寿命的计算方法误差加大,不如使用统计平均的方法。在对数分布统计分析中计算了各温度下器件的中位寿命和统计平均寿命,发现早期失效下的对数标准差较大且影响统计平均寿命的计算,这种情况不适合用对数正态分布估计寿命。最后对不同时期的加速寿命器件进行了失效分析。
关 键 词:高功率半导体激光器 热加速老化试验 韦布尔分布 对数正态分布 失效分析
分 类 号:TN248.4]
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