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期刊文章详细信息

硅-玻璃-硅阳极键合机理及力学性能  ( EI收录)  

Mechanism and mechanical property of Si-glass-Si anodic bonding process

  

文献类型:期刊文章

作  者:陈大明[1] 胡利方[1,2] 时方荣[1] 孟庆森[1]

CHEN Daming;HU Lifang;SHI Fangrong;MENG Qinsen(Department of Materials Science and Engineering,Taiyuan University of Technology,Taiyuan 030024,China;Shanxi Key Laboratory of Advanced Magnesium-based Materials,Taiyuan University of Technology,Taiyuan 030024,China)

机构地区:[1]太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原030024 [2]太原理工大学先进镁基材料山西省重点实验室,太原030024

出  处:《焊接学报》

基  金:国家自然科学基金资助项目(51405328)

年  份:2019

卷  号:40

期  号:2

起止页码:123-127

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2017、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2019_2020、EI、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用两步法阳极键合技术成功实现了硅-玻璃-硅的连接.两次键合过程中,电流特征有明显差异,第一次键合电流先迅速增大到峰值电流,然后迅速衰减至一较小值.受先形成Na+离子耗尽层的影响,第二次键合电流从峰值电流衰减的过程中,出现二次增大然后衰减的现象.利用扫描电镜对键合界面进行观察,结果表明玻璃两侧界面均键合良好,玻璃表面可观察到大量析出物.利用万能材料试验机对键合强度进行测试,结果表明,界面强度随着键合电压的升高而增大.断裂主要发生在玻璃基体内部靠近第二次键合界面一侧.

关 键 词:阳极键合 硅-玻璃-硅  电子封装 键合强度

分 类 号:TB332[材料类]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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