文献类型：期刊文章

作　　者：田学红[1] 刘刚[1] 田扬超[1] 张新夷[2]

机构地区：[1]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029 [2]复旦大学同步辐射研究中心,上海200433

出　　处：《真空科学与技术》

基　　金：国家重点基础研究发展规划课题资助 (No G19990 3 3 10 9)

年　　份：2002

卷　　号：22

期　　号：6

起止页码：417-420

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：2003177450339)、核心刊

摘　　要：在微电子机械系统 (MEMS)中 ,大高宽比微结构被广泛应用。由于紫外光衍射效应比较大 ,通过紫外光刻获得高精度的大高度微结构并不容易。本文主要研究了衍射效应对深紫外光刻精度的影响 ,并与实验结果进行了比较 ,理论模拟结果和实验比较吻合。因此 ,通过模拟结果得到不同厚度光刻胶的最佳曝光剂量 。

关 键 词：SU-8 非涅耳衍射  紫外光刻 MEMS 光刻胶 光刻精度  

分 类 号：TN305.7]