文献类型：期刊文章

作　　者：刘涛[1] 郦剑[1] 沈复初[1] 王幼文[2]

机构地区：[1]浙江大学材料与化工学院,浙江杭州310027 [2]浙江大学测试中心,浙江杭州310027

出　　处：《材料热处理学报》

基　　金：浙江省自然科学基金资助项目 (5990 67)

年　　份：2002

卷　　号：23

期　　号：4

起止页码：39-42

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用常压CVD方法在铝合金基底上制备出硅氧化合物陶瓷膜层。使用SEM、TEM及XPS仪分析了膜层形貌、成分和组织结构 ,通过 180°、90°弯曲实验和 45 0℃热冲击实验考察了陶瓷膜层与基片的结合性能 ,证实该技术制备的膜层与基底的结合强度很高。

关 键 词：化学气相沉积 CVD SiOx膜层  结合强度  

分 类 号：TB43] TG174.4]