文献类型：期刊文章

作　　者：王矜奉[1] 陈洪存[1] 王文新[1] 苏文斌[1] 臧国忠[1] 赵春华[2]

机构地区：[1]山东大学物理与微电子学院,山东济南250100 [2]滨州师专物理系,山东滨州256604

出　　处：《哈尔滨理工大学学报》

基　　金：国家自然科学基金(50072013)

年　　份：2002

卷　　号：7

期　　号：6

起止页码：48-50

语　　种：中文

收录情况：CAS、CSA、DOAJ、JST、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：研究了(Co,Nb,Pr)掺杂的SnO_2材料介电和压敏性质.当Pr_6O_11的量分数从0％增加到0.1％时,SnO_2压敏电阻的相对介电常数从670降到280,击穿电压从827V/mm猛增到2 150V/mm.微观结构分析发现:当Pr_6O_11的量分数从0％增加到0.1％时,SnO_2的晶粒尺寸由4.50μm迅速减小到1.76μm.晶界势垒高度测量揭示SnO_2的晶粒尺寸迅速减小是介电常数迅速减小及击穿电压急剧增高的原因.对Pr增加引起SnO_2晶粒减小的根源也进行了解释.

关 键 词：SNO2 压敏性质  二氧化锡 压敏电阻 介电常数  击穿电压 钴掺杂 铌掺杂  镨掺杂  

分 类 号：TN304.21] TN3