文献类型：期刊文章

作　　者：张献[1] 岳志昂[1] 赵恩钦[1] 魏帅康[1] 叶文轩[1] 黄敏怡[1] 辛美波[1] 赵洋[1] 王辉[1]

ZHANG Xian;YUE Zhiang;ZHAO Enqin;WEI Shuaikang;YE Wenxuan;HUANG Minyi;XIN Meibo;ZHAO Yang;WANG Hui(Henan Key Laboratory of Photoelectric Energy Storage Materials and Applications,School of Physics and Engineering,Henan University of Science and Technology,Luoyang 471023,China)

机构地区：[1]河南科技大学物理工程学院,河南省光电储能材料与应用重点实验室,洛阳471023

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家自然科学基金(61674052,52002120);河南省自然科学基金(242300420280);河南省科技研发计划联合基金(242103810049)。

年　　份：2025

卷　　号：54

期　　号：3

起止页码：462-469

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2023、核心刊

摘　　要：日盲紫外光电探测器(SBPDs)在军事、民用、医疗等领域存在巨大的应用潜力。本文采用射频磁控溅射技术制备Si掺杂氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜,研究了氩氧流量比对其物理特性的影响。晶体结构、光学性质和表面形貌分析结果表明,当氩氧流量比为30∶20时,薄膜的结晶质量最好。Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜沿(402)晶面择优生长,表面平整光滑,无微孔洞,400~800 nm波段的平均透过率为90%。基于优化的Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜制备条件,本文制备了p-GaN/n-Ga_(2)O_(3)∶Si自供电SBPDs,其在0 V偏压254 nm光照下的上升时间和衰减时间分别为0.450和0.509 s,光暗电流比(PDCR)、响应度(R)和比探测率(D*)分别为23、0.24 mA/W和1.67×10^(8)Jones。研究了器件在0~-6 V偏压下的周期性时间响应特性,在0 V偏压下,器件在254 nm辐照瞬间出现尖峰,当施加反向偏压时,尖峰消失。最后分析了p-GaN/Ga_(2)O_(3)∶Si异质结在接触前、后及反向偏压下的能带图。

关 键 词：Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜  氩氧流量比  磁控溅射  异质结  日盲紫外光电探测器  

分 类 号：TN304] O475]