文献类型：期刊文章

作　　者：杨田林[1] 杨光德[1] 高绪团[1] 万云芳[1]

机构地区：[1]山东理工大学物理系,山东淄博255091

出　　处：《半导体技术》

基　　金：山东省基金赞助课题(1997602)

年　　份：2002

卷　　号：27

期　　号：12

起止页码：64-67

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用射频磁控溅射法在有机柔性衬底上制备出了SnO2: Sb透明导电膜,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当地加热,当衬底温度为200℃时,在PI(聚酰亚胺)胶片上制备出了性能良好的薄膜,薄膜相应自由载流子霍耳迁移率的最大值为13.9cm2/V·s,载流子浓度为15.5×1019 cm-3,薄膜电阻率的最小值为3.7×10-3W·cm。在可见光范围内,样品的相对透过率为85%左右。

关 键 词：磁控溅射法 制备  SNO2 Sb透明导电膜  

分 类 号：TN305]