文献类型：期刊文章

作　　者：瞿天睿[1] 韩超[1] 高波[1] 白传易[1] 李敏娟[1] 彭思思[1,2] 周迪帆[1] 蔡传兵[1]

QU Tianrui;HAN Chao;GAO Bo;BAI Chuanyi;LI Minjuan;Peng Sisi;ZHOU Difan;CAI Chuanbing(Shanghai Key Laboratory of High Temperature Superconductors,College of Sciences,Shanghai University,Shanghai 200444,China;Wuhan Institute of Marine Electric Propulsion,Wuhan 430064,China)

机构地区：[1]上海大学理学院上海市高温超导重点实验室,上海200444 [2]武汉船用电力推进装置研究所,武汉430064

出　　处：《上海大学学报(自然科学版)》

基　　金：国家重点研发计划资助项目(2022YFE03150200);国家自然科学基金资助项目(52172271,52307026,52477022);上海市科技创新行动计划资助项目(23511101600)。

年　　份：2025

卷　　号：31

期　　号：1

起止页码：115-121

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2023、核心刊

摘　　要：采用离子束辅助沉积(ion beam-assisted deposition,IBAD)技术在非织构的金属基带上沉积双轴织构的MgO薄膜,研究了不同Ar^(+)离子束流能量对MgO双轴织构和表面形貌的影响.结果表明:在700∼1000 eV离子能量范围内,MgO薄膜的双轴织构随离子能量的增加而改善;在1000 eV离子能量下,IBAD-MgO薄膜的面内半高全宽(full-width at half-maximum,FWHM)∆_(ϕ)和面外FWHM∆ω分别为6°和2°;随着离子能量的增加,MgO薄膜的表面形貌并无明显区别,其表面粗糙度(5µm×5µm)均方根(root mean square,RMS)均在5∼6 nm.该研究证明了较高的Ar^(+)离子束能量可以提高IBAD-MgO薄膜的织构质量,对于双轴织构薄膜的稳定制备具有重要意义.

关 键 词：离子束辅助沉积 离子能量 双轴织构  

分 类 号：O469]