期刊文章详细信息
氧分压对低温反应热蒸发制备ITO薄膜性能的影响 ( EI收录)
Effect of oxygen partial pressure on properties of ITO films deposited by reactive thermal deposition technique
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 [2]南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 [3]南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071
基 金:国家"973"重点基础研究资助项目(2006CB202602;2006CB202603);天津市科技发展规划资助项目(06YFGZGX02100);天津市国家科技计划配套资助项目(07QTPTJC29500);天津市自然科学基金资助项目(06YFJZJC01700)
年 份:2009
卷 号:20
期 号:1
起止页码:44-48
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2008、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:20091011946520)、核心刊
摘 要:采用反应热蒸发法制备ITO薄膜,详细研究了氧分压对薄膜的晶体结构及光电性能的影响。当氧分压较小时,在XRD谱中发现了对应于SnO(112)晶向的衍射峰,随着氧分压的增大,薄膜的晶体结构变得完整,性能得到了改善,在较低的衬底温度下(TS=160℃)获得最小的电阻率为5.3×10-4Ωcm,但是,当更多的氧进入薄膜后一方面填充了氧空位,另一方面与Sn4+相结合形成复合中性粒子(Sn+In)2O"i,使得锡的掺杂作用减弱,薄膜的电阻率增大,同时在近红外区域的透过率增大。
关 键 词:ITO薄膜 反应热蒸发 氧分压 散射机制
分 类 号:TN304.055]
参考文献:
正在载入数据...
二级参考文献:
正在载入数据...
耦合文献:
正在载入数据...
引证文献:
正在载入数据...
二级引证文献:
正在载入数据...
同被引文献:
正在载入数据...