文献类型：期刊文章

作　　者：刘莹[1] 方振贤[1]

机构地区：[1]黑龙江大学理学院电子工程学院,哈尔滨150080

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：黑龙江省自然科学基金资助项目 (No.F0 1-13 )~~

年　　份：2002

卷　　号：23

期　　号：12

起止页码：1326-1331

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过等效电路分析、考虑参数选取和整体时序电路的实现 ,提出具有信息恢复能力的静态绝热 CMOS记忆电路 .认为整体绝热电路结构最好融合输入、输出电路和记忆电路、时序电路为一体 ,由主触发器集合和从触发器集合相互连接构成 ,其中含有输出和反馈从触发器 .采用绝热取样输入电路实现信息记忆单元接收代码和保存信息时将信息单元与外输入隔离 .还设计出 5 4 2 1BCD码 10进制和 7进制可变计数器 (带有进位输出从触发器和反馈清 0从触发器 ) 。

关 键 词：静态  绝热 CMOS 记忆电路  信息恢复能力  取样输入电路  分析等效电路  集成电路 功耗

分 类 号：TN432]