文献类型：期刊文章

作　　者：刘英[1] 陈难先[1]

机构地区：[1]北京科技大学应用物理研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目 (项目编号 :G2 0 0 0 0 6710 1)~~

年　　份：2002

卷　　号：23

期　　号：12

起止页码：1275-1280

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2003127407882)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：运用第一原理赝势技术 ,计算了金刚石结构晶体 C、Si、Ge的结合能曲线以及总能随晶格畸变的变化 .根据陈氏三维晶格反演得到了 C- C、Si- Si、Ge- Ge的原子间相互作用对势 ;根据弹性系数的计算结果 ,确定了原子间相互作用的 MSW(m odified Stillinger- Weber)三体势参数 ;晶格动力学的计算结果和实验结果能够较好地符合 .给出了一种基于第一性原理的计算、无参数调节地确定原子间相互作用势的技术路线 。

关 键 词：第一性原理 陈氏三维晶格反演  原子间相互作用势 晶格动力学 半导体  碳硅锗三原子间  

分 类 号：O471.4]