文献类型：期刊文章

作　　者：田杉杉[1] 高倩[1] 高泽冉[1] 熊雨晨[1] 丛日东[1] 于威[1]

Tian Shan-Shan;Gao Qian;Gao Ze-Ran;Xiong Yu-Chen;Cong Ri-Dong;Yu Wei(National&Local Joint Engineering Laboratory of New Energy Optoelectronic Devices,College of Physics Science&Technology,Hebei University,Baoding 071002,China)

机构地区：[1]河北大学物理科学与技术学院,新能源光电器件国家地方联合工程实验室,保定071002

出　　处：《物理学报》

年　　份：2024

卷　　号：73

期　　号：17

起止页码：294-304

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2023、CAS、CSCD、CSCD2023_2024、EAPJ、EI、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：通过磁控溅射单一四元靶材磁控得到的黄铜矿Cu(In,Ga)Se_(2)(CIGS)太阳电池开发的主要瓶颈是严重的载流子复合,其开路电压非常低.CIGS与钼(Mo)之间不良的缺陷环境是吸收体和界面复合严重的主要原因之一.其中,在背界面处引入的CuGaSe_(2)(CGS)低温缓冲层可以有效地抑制吸收体与背电极在高温磁控过程中的不利界面反应,从而获得高质量的晶体.通过这种背界面工程,不仅可以很好地解决吸收体和界面质量不佳的问题,而且有利于在吸收层中形成梯度带隙结构,从而使深能级InGa缺陷转换为较低能级的VCu缺陷,最终CIGS太阳电池的转换效率达到15.04%.这项工作为直接溅射高效率CIGS太阳电池的产业化提供了一种新的方法.

关 键 词：Cu(In  Ga)Se_(2)  太阳电池 磁控溅射 V  型带隙  缺陷特性  

分 类 号：TM914.4]