文献类型：期刊文章

作　　者：黄梓骏[1] 马蕊[1] 蔡鑫伦[1]

Huang Zijun;Ma Rui;Cai Xinlun(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies,School of Electronics and Information Technology,Sun Yat-Sen University,Guangzhou 510006,Guangdong,China)

机构地区：[1]中山大学电子与信息工程学院光电材料与技术国家重点实验室,广东广州510006

出　　处：《激光与光电子学进展》

年　　份：2024

卷　　号：61

期　　号：11

起止页码：8-23

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2023、CSCD、CSCD2023_2024、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：光电振荡器(OEO)可以产生高频、宽带可调、低相位噪声的射频(RF)信号,可应用于5G通信、雷达探测和传感等领域。OEO的基本结构主要包括激光器、调制器、储能介质、光电探测器、RF放大器和RF滤波器,实现低相位噪声的关键是高Q储能介质,例如低损耗的长光纤或者高Q因子的光学谐振腔。自姚晓天博士在1996年首次提出OEO至今,已经衍生出各种OEO结构,但它们大多都由分立器件组成,体积庞大、价格昂贵且使用不便。随着各种集成光学材料平台的成熟,小尺寸、低成本和更可靠的集成OEO成为可能,例如绝缘体上硅(SOI)OEO、磷化铟(InP)OEO和硫化物OEO等,但由于这些材料本身高损耗、非线性和温度敏感等特性,难以实现OEO所需的高性能电光调制器和高Q的储能介质,而薄膜铌酸锂(TFLN)由于宽透明窗口、大线性电光系数和低损耗特性在实现高性能的电光调制器和高Q微腔中已经得到广泛应用,有望实现高频、宽带可调、低相位噪声的RF信号。本文回顾过去30年从分立OEO到集成OEO的发展历程并展望未来集成OEO的发展前景。

关 键 词：薄膜铌酸锂  光电振荡器 高频 相位噪声 光集成

分 类 号：TN256]