文献类型：期刊文章

作　　者：刘涛[1] 肖明[1,2] 胡锐[1]

LIU Tao;XIAO Ming;HU Rui(CGN Jiuyuan(Chengdu)Science and Technology Co.Ltd.,Chengdu 610041,China;Chengdu University of Technology,Chengdu 6100001,China)

机构地区：[1]中广核久源(成都)科技有限公司,成都610041 [2]成都理工大学,成都610000

出　　处：《核电子学与探测技术》

年　　份：2024

卷　　号：44

期　　号：3

起止页码：479-485

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2023、CAS、JST、核心刊

摘　　要：本文根据SiPM击穿电压(V_(br))随温度变化的关系,结合PTC热敏电阻和低压差线性稳压器(LDO)的输入输出特性,设计了一种温度自适应硅光电倍增管偏压电路。并在-20~30℃的温度范围内分为实验组和对照组进行了电压稳定性、纹波测试、温度相关性测试和计数率测试,其中实验组为温度自适应偏压输出,对照组为固定偏压输出。测试结果表明,在设定温度范围内,实验组的过载电压变化较小,比对照组过载电压变化小1.01V,变化率由25.5%变为1.9%,计数率变化从对照组的30%变为1.6%,实验组的计数率变化呈低温度相关性,计数率在100~106次/s之间变化,而对照组计数率明显随温度上升而降低。表明使用本偏压电路时SiPM具有较好的温度稳定性。

关 键 词：SIPM 温度自适应 偏压

分 类 号：TL81]