期刊文章详细信息
La^(3+)、Co^(2+)掺杂对多铁薄膜BiFeO_(3)漏电流性能的影响
Influence of La^(3+)and Co^(2+)Doping on Leakage Current Properties of BiFeO_(3)Multiferroic Thin Films
文献类型:期刊文章
ZHANG Wenzheng;WANG Zan(School of Materials and Science Engineering,Shenyang University of Chemical Technology,Shenyang 110142,China;Analysis and Test Center,Shenyang University of Chemtcal Technology,Shenyang 110142,China)
机构地区:[1]沈阳化工大学材料科学与工程学院,辽宁沈阳110142 [2]沈阳化工大学分析测试中心,辽宁沈阳110142
年 份:2023
卷 号:37
期 号:6
起止页码:518-523
语 种:中文
收录情况:CAS、普通刊
摘 要:在550℃、退火20 min的条件下,采用溶胶-凝胶法分别在Pt(111)/Ti/SiO_(2)/Si(100)衬底上制备La^(3+)、Co^(2+)摩尔分数(x、y)分别为0.05、0.10、0.15和0.20的Bi_(1-x)La_(x)FeO_(3)(BL_(x)FO)和BiFe_(1-y)Co_(y)O_(3)(BFC_(y)O)系列薄膜,并对其进行XRD、铁电性、漏电性等测试.结果表明:La^(3+)、Co^(2+)元素的掺杂没有改变薄膜BFO钙钛矿的晶体结构,但是明显改善了薄膜的铁电性和漏电性,尤其是当x、y值分别为0.15时,薄膜Bi_(0.85)La_(0.15)FeO_(3)和BiFe_(0.85)Co_(0.15)O_(3)均达到了最优性能.在此基础上,制备Bi_(0.85)La_(0.15)Fe_(0.85)Co_(0.15)O_(3)(BLFCO)薄膜.结果表明:复合元素掺杂比单元素掺杂获得更为理想的效果,其中剩余极化2 P_(r)从单元素掺杂的0.0718 C/m^(2)提高到复合元素掺杂的0.7070 C/m^(2),漏电流密度也比单元素掺杂降低了1个数量级.
关 键 词:掺杂 铁酸铋 多铁薄膜 铁电性 漏电性
分 类 号:TB34[材料类]
参考文献:
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