文献类型：期刊文章

作　　者：张东皓[1] 杨东锴[1] 徐畅[1] 刘信佑[2] 包立君[1]

ZHANG Donghao;YANG Dongkai;XU Chang;LIU Hsinyu;BAO Lijun(Department of Electronic Science,School of Electronic Science and Engineering,Xiamen University,Xiamen 361100,China;Xiamen San’an Optoelectronic Company Ltd.,Xiamen 361100,China)

机构地区：[1]厦门大学电子科学与技术学院电子科学系,福建厦门361100 [2]厦门三安光电有限公司,福建厦门361100

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然科学基金(62071405)。

年　　份：2024

卷　　号：45

期　　号：5

起止页码：800-808

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2023、CAS、CSCD、CSCD2023_2024、EI、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为了提升GaN基多量子阱LED的空穴注入效率,设计了具有不同最后势垒层结构的GaN基多量子阱外延结构,并将其制备为绿光mini-LED发光芯片,利用低温电致发光光谱、电流电压特性测试对其载流子传输机制进行了研究。结果表明,在采用AlGaN或GaN/AlN最后势垒层的样品中,有更多载流子可以传输到深层量子阱,空穴注入效率获得提升。本文对这一现象中的载流子运输机制以及V坑缺陷在其中所起的作用进行了研究,发现这种提升主要来自空穴V坑注入比例的增大。实验还发现,过大的V坑注入比例也会造成非辐射复合率上升,从而抑制了AlGaN最后势垒层样品的电光转换效率。

关 键 词：发光二极管  最后势垒层  空穴注入 INGAN/GAN多量子阱 V坑  

分 类 号：TN383.1]