文献类型：期刊文章

作　　者：曹文彧[1] 张雅婷[1] 魏彦锋[1] 朱丽娟[1] 徐可[1] 颜家圣[2] 周书星[1,3] 胡晓东[4]

Cao Wen-Yu;Zhang Ya-Ting;Wei Yan-Feng;Zhu Li-Juan;Xu Ke;Yan Jia-Sheng;Zhou Shu-Xing;Hu Xiao-Dong(Hubei Key Laboratory of Low Dimensional Optoelectronic Materials and Devices,School of Physics and Electronic Engineering,Hubei University of Arts and Science,Xiangyang 441053,China;Hubei Key Laboratory of High Power Semiconductor Technology,Hubei TECH Semiconductor Co.,Ltd,Xiangyang 441021,China;Hubei Key Laboratory of Electronic Manufacturing and Packaging Integration,Wuhan University,Wuhan 430072,China;State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics,School of Physics,Peking University,Beijing 100871,China)

机构地区：[1]湖北文理学院物理与电子工程学院,低维光电材料与器件湖北省重点实验室,襄阳441053 [2]湖北台基半导体股份有限公司,大功率半导体技术湖北省重点实验室,襄阳441021 [3]武汉大学,电子制造与封装集成湖北省重点实验室,武汉430072 [4]北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871

出　　处：《物理学报》

基　　金：湖北省教育厅科研计划(批准号:Q20222607);襄阳市基础研究科技计划(批准号:2022ABH006045);电子制造与封装集成湖北省重点实验室(武汉大学)开放基金(批准号:EMPI2023009);湖北文理学院教学研究项目(批准号:JY2023017);湖北文理学院博士科研启动基金(批准号:2020170367)资助的课题。

年　　份：2024

卷　　号：73

期　　号：7

起止页码：292-299

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2023、CAS、CSCD、CSCD2023_2024、EAPJ、EI、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：在InGaN/GaN异质结构量子阱内存在巨大的压电极化场,这严重地削弱了量子阱的发光效率.为了减弱量子阱内的压电极化场,通常引入应变调制插入层提升器件的发光性能.为了研究InGaN/GaN超晶格的应变调制效果和机理,实验设计制备了具有n型InGaN/GaN超晶格插入层的外延结构及其对照样品.变温光致发光谱测试表明引入n型InGaN/GaN超晶格插入层的样品发光波长更短且内量子效率提升,相应的电致发光谱积分强度也显著增加且半宽减小,说明引入超晶格应变插入层可以在一定程度上抑制影响发光效率的量子限制Stark效应.理论计算结果表明:在生长有源区量子阱前引入超晶格应变层,可以削弱有源区量子阱内极化内建电场,减弱有源区量子阱能带倾斜,增加电子空穴波函数交叠,提高发射几率,缩短辐射复合寿命,有利于辐射复合与非辐射复合的竞争,实现更高的复合效率,从而提高发光强度.本文从实验和理论两方面验证了超晶格应变调制插入层可以有效改善器件性能,为器件的结构设计优化指明方向.

关 键 词：GAN 多量子阱 超晶格 应变调制  

分 类 号：O413]