文献类型：期刊文章

作　　者：段聪[1] 刘俊杰[1] 陈永杰[1] 左慧玲[1] 董健生[1] 欧阳钢[2]

Duan Cong;Liu Jun-Jie;Chen Yong-Jie;Zuo Hui-Ling;Dong Jian-Sheng;Ouyang Gang(Department of Physics,Jishou University,Jishou 416000,China;Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Structures and Quantum Control of Ministry of Education,School of Physics and Electronics,Hunan Normal University,Changsha 410006,China)

机构地区：[1]吉首大学物理与机电工程学院,吉首416000 [2]湖南师范大学物理与电子科学学院,低维量子结构与调控教育部重点实验室,长沙410006

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:12364007);湖南省教育厅项目(批准号:21B0502);国家级大学生创新创业训练项目(批准号:202210531007);湖南省大学生创新创业训练项目(批准号:S202310531036)资助的课题.

年　　份：2024

卷　　号：73

期　　号：5

起止页码：281-288

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2023、CAS、CSCD、CSCD2023_2024、EAPJ、EI、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：探索二维材料与其衬底之间的黏附性能对于二维材料的制备、转移以及器件性能的优化至关重要.本文基于原子键弛豫理论和连续介质力学方法,系统研究了尺寸和温度对MoS_(2)/SiO_(2)界面黏附性能的影响.结果表明,由于表面效应引起的热膨胀系数、晶格应变和杨氏模量的变化,MoS_(2)/SiO_(2)界面黏附能随MoS_(2)厚度的减小而增大,而热应变使MoS_(2)/SiO_(2)界面黏附能随温度的升高而逐渐降低.此外,预测了在不同尺寸和温度下MoS_(2)在SiO_(2)衬底上的“脱落”条件,系统阐述了MoS_(2)与SiO_(2)衬底之间黏附性能的物理机制,为基于二维材料电子器件的优化设计提供了理论基础.

关 键 词：MoS_(2)  尺寸和温度效应  界面黏附性能  原子键弛豫理论  

分 类 号：O469]