文献类型：期刊文章

作　　者：仇鹏[1] 刘恒[1] 朱晓丽[1] 田丰[1] 杜梦超[1] 邱洪宇[1] 陈冠良[1] 胡玉玉[1] 孔德林[1] 杨晋[1] 卫会云[1] 彭铭曾[1] 郑新和[1]

Qiu Peng;Liu Heng;Zhu Xiao-Li;Tian Feng;Du Meng-Chao;Qiu Hong-Yu;Chen Guan-Liang;Hu Yu-Yu;Kong De-Lin;Yang Jin;Wei Hui-Yun;Peng Ming-Zeng;Zheng Xin-He(School of Mathematics and Physics,Beijing Key Laboratory for Magneto-Photoelectrical Composite and Interface Science,University of Science and Technology Beijing,Beijing 100083,China)

机构地区：[1]北京科技大学数理学院,磁光电复合材料与界面科学北京市重点实验室,北京100083

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家重点研发计划(批准号:2018YFA0703700);国家自然科学基金(批准号:52002021);中央高校基本科研业务费(批准号:FRF-IDRY-GD22-001)资助的课题。

年　　份：2024

卷　　号：73

期　　号：3

起止页码：50-71

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2023、CAS、CSCD、CSCD2023_2024、EAPJ、EI、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：Ⅲ族氮化物半导体由于包含了宽的直接禁带宽度、高击穿场强、高电子饱和速度、高电子迁移率等优异的性质,自从发展以来便成为半导体领域中的一个热点.并且由于其禁带宽度可以从近紫外涵盖到红外区域,因此在传统半导体所难以实现的短波长光电子器件领域,也具有广阔的应用前景.原子层沉积由于其特殊的沉积机制可以在较低的温度下实现Ⅲ族氮化物半导体的高质量制备,通过调整原子层沉积的循环比也可以方便地调整合金材料中的成分.发展至今,原子层沉积已经成为制备Ⅲ族氮化物及其合金材料的一种重要方式.因此,本文着重介绍了近期使用原子层沉积进行Ⅲ族氮化物半导体及其合金的沉积及应用,包括使用不同前驱体、不同方式、不同类型原子层沉积,在不同温度、不同衬底上进行氮化物半导体及其合金的沉积.随后讨论了原子层沉积制备的Ⅲ族氮化物材料在不同器件中的应用.最后总结了原子层沉积在制备Ⅲ族氮化物半导体中的前景和挑战.

关 键 词：原子层沉积 氮化物半导体 薄膜生长

分 类 号：O649] TG178[化学类]