文献类型：期刊文章

作　　者：王林雪[1] 赵能慧[1] 苏锦锋[1] 曹文斌[1]

WANG Linxue;ZHAO Nenghui;SU Jinfeng;CAO Wenbin(Research Center for Semiconductor Materials and Devices,School of Arts and Sciences,Shaanxi University of Science and Technology,Xi′an 710021,China)

机构地区：[1]陕西科技大学文理学院,半导体材料与器件研究中心,西安710021

出　　处：《硅酸盐学报》

基　　金：国家自然科学基金(12005125,51802183)。

年　　份：2023

卷　　号：51

期　　号：12

起止页码：3059-3066

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2023_2024、EAPJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了Er_(2)O_(3)掺杂对ZnO–Bi_(2)O_(3)–Sb_(2)O_(3)–Co_(2)O_(3)–MnO_(2)–Cr_(2)O_(3)–SiO_(2)压敏陶瓷微观结构和电学性能的影响。Er_(2)O_(3)掺杂后,部分Er固溶于富Bi相中,对ZnO压敏陶瓷的晶界特性和电学性能产生了较大影响。随着Er_(2)O_(3)掺杂量从0.09%(质量分数)增大到0.35%,样品晶界电阻率不断减小,漏电流密度不断增大,双Schottky晶界势垒高度和非线性系数先增大后减小,击穿场强不断增大;当Er_(2)O_(3)掺杂量为0.27%时,所得ZnO压敏陶瓷非线性系数达到54.4±1.5,击穿场强为(470.1±2.8) V·mm^(–1),漏电流密度为(1.9±0.1)μA·cm^(–2),损耗角正切tanδ始终小于0.03,样品综合电学性能最优,性能参数标准偏差均较小,说明样品具有较好的制备可重复性,为Er_(2)O_(3)掺杂高性能ZnO压敏陶瓷的制备提供了借鉴。

关 键 词：氧化锌 压敏陶瓷 氧化铒掺杂  

分 类 号：TQ174]