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高功率蓝光半导体激光器巴条的封装技术研究 ( EI收录)
Research on packaging technology of high power blue semiconductor laser bar
文献类型:期刊文章
ZHOU Yong;WANG Qi;GAO Xiang;GAO Junjian;TAO Chunyan;HAO Mingming(School of Materials and Energy,Guangdong University of Technology,Guangzhou 510006,China;Dongguan Institute of Opto-electrical Peking University,Dongguan 523822,China;School of Information and Engineering,Guangdong University of Technology,Guangzhou 510006,China)
机构地区:[1]广东工业大学材料与能源学院,广东广州510006 [2]北京大学东莞光电研究院,广东东莞523822 [3]广东工业大学信息与工程学院,广东广州510006
基 金:广东省自然科学基金资助项目(No.2019B1515120091);广东省重点领域研发计划资助项目(No.2020B090922001)。
年 份:2023
卷 号:31
期 号:22
起止页码:3237-3244
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2023_2024、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:为实现高功率的蓝光半导体激光输出,对蓝光巴条的封装技术进行了研究。利用金锡硬焊料封装了高功率氮化镓(GaN)蓝光半导体激光巴条,应用铜钨过渡热沉作为缓冲层抑制了铜热沉和GaN激光芯片之间封装残余应力,采用高精度贴片机将芯片共晶键合在铜钨过渡热沉上。贴片质量的好坏直接影响了器件的输出特性,所以重点分析了贴片机的焊接温度焊接压力、焊接时间对器件的影响。实验结果表明:当贴片机的焊接温度为320℃、焊接压力为0.5 N、焊接时间为40 s时,焊料层界面空洞最少,热阻最低为0.565℃/W,阈值电流最低为4.9 A,在注入电流30 A时,输出光功率最高为32.21 W,最高光电转换效率达到了23.3%。因此,在优化焊接温度、焊接压力、焊接时间后,利用金锡硬焊料将蓝光半导体激光芯片共晶键合在铜钨过渡热沉的技术方案是实现蓝光半导体激光巴条高功率工作的有效途径。
关 键 词:高功率激光器 半导体激光器 氮化镓 蓝光 巴条 铜钨过渡热沉
分 类 号:TN248.4]
参考文献:
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