文献类型：期刊文章

作　　者：丁晓伟[1] 杜岩平[1] 李爱平[1]

DING Xiao-wei;DU Yan-ping;LI Ai-ping(Beijing Huashang Sanyou New Energy Technology Co.,Ltd.,Beijing 101106,China)

机构地区：[1]北京华商三优新能源科技有限公司,北京101106

出　　处：《电力电子技术》

基　　金：2022年北京市科学技术委员会、中关村科技园区管理委员会项目(Z221100000222022)。

年　　份：2023

卷　　号：57

期　　号：11

起止页码：135-140

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、IC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)为高性能电力电子技术提供了技术保障,其短路承受能力是进一步提升电力电子变换器可靠性的关键;特别是在大功率场合,经常将SiC MOSFET并联使用,然而影响并联SiC器件短路振荡的关键因素并不十分明确,振荡机理有待进一步研究。此处以并联SiC MOSFET为研究对象,建立在短路工况下的等效数学模型,分析影响并联短路特性的关键因素并进行实验验证,归纳短路振荡机理。理论分析与实验结果表明,当并联SiC MOSFET发生短路故障时,栅极驱动电阻和功率回路杂散电感是导致器件并联系统振荡的主要因素,过小的栅极驱动电阻使得并联系统振荡频率和尖峰增大;过大的功率回路杂散电感导致系统振荡频率降低,而振荡尖峰增大,系统的剧烈振荡不利于SiC MOSFET稳定性提高。

关 键 词：金属氧化物半导体场效应晶体管 短路故障 振荡机理  

分 类 号：TN32]