文献类型：期刊文章

作　　者：孔慧停[1] 王海花[2] 陈欢[2] 康文兵[2]

Kong Huiting;Wang Haihua;Chen Huan;Kang Wenbing(Institute of Novel Semiconductors,Shandong University,Shandong,250100;National Engineering Research Center for Colloidal Materials,School of Chemistry and Chemical Engineering,ShandongUniversity,Shandong,250100)

机构地区：[1]山东大学新一代半导体材料研究院,山东250100 [2]山东大学化学与化工学院国家胶体材料工程技术研究中心,山东250100

出　　处：《当代化工研究》

基　　金：2019年山东省重大科技创新工程项目“高品质光刻胶及光刻工艺研究”(项目编号:2019JZZY020229)。

年　　份：2023

期　　号：21

起止页码：113-115

语　　种：中文

收录情况：CAS、普通刊

摘　　要：随着大规模集成电路制程日益复杂,对化学机械精抛光材料的要求也越来越高。目前,用于高端芯片平整化所需化学机械精抛光液的合成仍存在一些技术难点。本文通过对传统的溶胶凝胶法进行改进,在不添加稳定剂的条件下规模合成粒径小(10~50nm)、均一且稳定性好的硅溶胶。该硅溶胶作为磨料用于硅片的化学机械精抛光(CMP),研究了双氧水浓度对硅片表面去除速率(MRR)和表面粗糙度(Ra)的影响。当双氧水质量分数为5%时,硅片表面粗糙度为0.1nm,可实现单晶硅片的精密加工。

关 键 词：硅溶胶 二氧化硅 溶胶凝胶法 化学机械精抛光  

分 类 号：O69[化学类]