文献类型：期刊文章

作　　者：蔡文博[1] 杨洋[1] 李志青[1]

Cai Wen-Bo;Yang Yang;Li Zhi-Qing(Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparing Technology,School of Science,Tianjin University,Tianjin 300350,China)

机构地区：[1]天津大学理学院,天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室,天津300350

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:12174282)资助的课题。

年　　份：2023

卷　　号：72

期　　号：22

起止页码：262-269

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2023_2024、EAPJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用磁控溅射技术,通过改变氧分压在MgO (001)单晶基片上外延生长了一系列TiO薄膜,并对薄膜的结构、价态和电输运性质进行了系统研究. X射线衍射结果表明,所制备的薄膜具有岩盐结构,沿[001]晶向外延生长. X射线光电子能谱结果表明,薄膜中Ti元素主要以二价形式存在.所有样品均具有负的电阻温度系数,高氧分压下制备的薄膜表现出绝缘体的导电性质,低温下电阻与温度的关系遵从变程跳跃导电规律.低氧分压下制备的薄膜具有金属导电性质,并具有超导电性,超导转变温度最高可达3.05 K.所有样品均具有较高的载流子浓度,随着氧分压的降低,薄膜的载流子类型由电子主导转变为空穴主导.氧含量的降低可能加强了TiO中Ti—Ti键的作用,从而使低氧分压下制备的样品显现出与金属Ti相似的电输运性质,薄膜超导转变温度的提升可能与晶体结构或电子结构突变相关联.

关 键 词：钛氧化物薄膜  磁控溅射 电输运性质 超导电性

分 类 号：TQ134.11] TB383.2[材料类]