文献类型：期刊文章

作　　者：邱洪宇[1] 王馨颐[1] 段彰[1] 仇鹏[1] 刘恒[1] 朱晓丽[1] 田丰[1] 卫会云[1] 郑新和[1]

QIU Hongyu;WANG Xinyi;DUAN Zhang;QIU Peng;LIU Heng;ZHU Xiaoli;TIAN Feng;WEI Huiyun;ZHENG Xinhe(Dept.of Appl.Phys.,School of Mathematics and Physics,Beijing University of Science and Technology,Beijing 100083,CHN)

机构地区：[1]北京科技大学数理学院应用物理系,北京100083

出　　处：《半导体光电》

年　　份：2023

卷　　号：44

期　　号：4

起止页码：573-579

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术在斜切的砷化镓(GaAs)衬底上低温沉积了氮化镓(GaN)薄膜,对生长过程、表面机制以及界面特性等进行分析,得到GaN在215~270℃的温度窗口内生长速度(Growth-Per-Cycle, GPC)为0.082 nm/cycle,并从表面反应动力学和热力学方面对GPC的变化进行了分析。研究发现,生长的GaN薄膜为多晶,具有六方纤锌矿结构,且出现(103)结晶取向。在GaN/GaAs界面处观察到约1 nm厚的非晶层,这可能与生长前衬底表面活性位点的限制和前驱体的空间位阻效应有关。值得注意的是,在沉积的GaN薄膜中,所有的N皆与Ga以Ga-N键结合生成GaN,但是存在少部分Ga形成了Ga-O键和Ga-Ga键。这种成键方式,可能与GaN薄膜中存在的缺陷和杂质有关。

关 键 词：等离子增强原子层沉积  氮化镓 砷化镓衬底 低温  

分 类 号：TN04]