文献类型：期刊文章

作　　者：孙一帆[1] 卢刚[1] 孟庆鑫[1] 廖敏夫[1]

SUN Yi-fan;LU Gang;MENG Qing-xin;LIAO Min-fu(Institute of Power Electronics,School of Electrical Engineering,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China)

机构地区：[1]大连理工大学电气工程学院电力电子研究所,辽宁大连116024

出　　处：《真空电子技术》

年　　份：2023

期　　号：5

起止页码：43-49

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：激光触发真空开关具有优异的工作性能,在脉冲功率系统具有很好的应用前景。本文以300 kV为设计指标,对激光触发多级真空开关进行结构设计与优化。首先进行激光触发间隙的结构设计,靶材由KCl和Ti混合制成,采用铜铬合金纵磁电极;其次进行自击穿间隙的结构设计,自击穿间隙采用平板不锈钢电极,结合不同圆角半径下的电场仿真结果,确定电极外侧圆角半径为5 mm,内侧圆角半径为3.5 mm;通过对绝缘支柱闪络机理的分析,使用带伞裙的圆柱形尼龙绝缘支柱并采用电极嵌入绝缘支柱降低三交界面电场;最后根据开关的欠压比、过压倍数和稳定性,确定自击穿间隙采用三个3.7 mm长的真空短间隙,各间隙承担电压为180、40、40、40 kV。

关 键 词：激光触发多级真空开关  电场优化 欠压比  过压倍数  

分 类 号：TM561]