期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
ZHOU Libin;CHEN Honglin;CAO Wenbin;LIU Jianke(Semiconductor Materials and Devices Research Center,School of Arts and Sciences,Shaanxi University of Science&Technology,Xi'an 710021,China)
机构地区:[1]陕西科技大学文理学院,半导体材料与器件研究中心,西安710021
基 金:国家自然科学基金项目(51802183);陕西科技大学博士科研启动基金项目(2017BJ-23)。
年 份:2023
卷 号:54
期 号:9
起止页码:9197-9202
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2023_2024、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:钴(Co)作为添加剂对氧化锌(ZnO)压敏陶瓷微观结构和电性能有显著影响。采用传统固相烧结法,以ZnO-Bi_(2)O_(3)-Sb 2O_(3)-MnO_(2)-Cr 2O_(3)作为基础配方,分别掺杂了三氧化二钴(Co_(2)O_(3))和四氧化三钴(Co_(3)O_(4))来制备ZnO压敏陶瓷,并对比了两种掺杂下样品的微观结构和电学性能,发现掺杂Co_(2)O_(3)的样品平均晶粒尺寸大于掺杂Co_(3)O_(4)的样品。另外,掺杂Co_(3)O_(4)的ZnO压敏陶瓷样品具有较高的非线性系数51.40,较高的压敏场强338.29 V/mm,较低的漏电流密度1.33μA/cm^(2),以及较高的势垒高度0.69 eV,综合性能比较优异。因此,相较于Co_(2)O_(3),Co_(3)O_(4)可以更好地改善ZnO压敏陶瓷性能。
关 键 词:氧化锌压敏陶瓷 固相烧结 钴掺杂 平均晶粒尺寸,电学性能
分 类 号:TQ174]
参考文献:
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引证文献:
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同被引文献:
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