文献类型：期刊文章

作　　者：黄传鑫[1] 辛纪英[2] 田中俊[1] 王猛[1] 吕凯凯[1] 梁兰菊[1] 刘云云[1]

HUANG Chuan-xin;XIN Ji-ying;TIAN Zhong-jun;WANG Meng;LüKai-kai;LIANG Lan-ju;LIU Yun-yun(College of Optoelectronic Engineering,Zaozhuang University,Zaozhuang 277160,China;Back Office,Zaozhuang University,Zaozhuang 277160,China)

机构地区：[1]枣庄学院光电工程学院,山东枣庄277160 [2]枣庄学院后勤服务处,山东枣庄277160

出　　处：《真空》

基　　金：山东省自然科学青年基金(ZR2021QF081);枣庄学院博士启动项目(1020716)。

年　　份：2023

卷　　号：60

期　　号：4

起止页码：24-28

语　　种：中文

收录情况：CAS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：氧化物薄膜晶体管(TFT)是有源矩阵有机发光二极管的核心驱动元件,是现今开发新型显示器的关键技术,在平板显示方面具有广阔的应用前景。但氧化物半导体中存在大量由氧空位引起的缺陷态,从而影响了TFT器件的性能及稳定性,成为其商业化进程的瓶颈。本文通过磁控溅射方法制备了IZO TFT,并将其进行O2等离子体处理,研究了离子体处理对IZO薄膜及TFT性能的影响。结果表明:O2等离子体处理后IZO TFT迁移率由8.2cm^(2)/(V·s)提高到9.5cm^(2)/(V·s),阈值电压由-3.2V减小到-5.1V,亚阈值摆幅由0.45V/decade减小到0.38V/decade,开关比由2.3×10^(7)提高到4.4×10^(7);在光照负偏压下,器件的阈值电压漂移量从7.1V降低到3.2V;在100℃老化条件下,器件的阈值电压漂移量从12.5V降低到6.4V;O2等离子体处理可以有效提高IZO TFT的电学性能和稳定性。

关 键 词：薄膜晶体管  磁控溅射  O2等离子体处理  缺陷态 稳定性  

分 类 号：O539] TN386[物理学类]