文献类型：期刊文章

作　　者：贺娟[1] 陈文求[1,2] 陈伟[2] 余洋[2] 范和平[1,2]

HE Juan;CHEN Wenqiu;CHEN Wei;YU Yang;FAN Heping(Hubei Institute of Chemistry,Jianghan University,Wuhan 430056,China;HAISO Technology Co.,Ltd.,Wuhan 430074,China)

机构地区：[1]江汉大学湖北省化学研究院,湖北武汉430056 [2]华烁科技股份有限公司,湖北武汉430074

出　　处：《绝缘材料》

基　　金：湖北省科技发展专项(42000023205T000000146);江汉大学研究生科研创新基金项目。

年　　份：2023

卷　　号：56

期　　号：9

起止页码：1-6

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：随着微电子工业的高速发展,柔性印制电路板(FPCB)对其层间绝缘材料——聚酰亚胺(PI)薄膜的介电性能提出更高的要求。常规PI薄膜由于其介电常数偏高,无法满足5G高频通信的要求。本文从改变PI的本体结构和引入多孔结构两个方面,综述了近年来低介电常数PI薄膜材料的研究进展,同时对低介电常数PI薄膜材料的发展前景进行了展望。

关 键 词：聚酰亚胺薄膜 低介电常数 结构改性 本征结构  多孔结构

分 类 号：TM215[材料类]