文献类型：期刊文章

作　　者：郭梦轲[1,2] 李成晗[1,2] 史艳姝[1,2] 王吉乐[1] 郭婷婷[1]

GUO Meng-ke;LI Cheng-han;SHI Yan-shu;WANG Ji-le;GUO Ting-ting(Yunnan Key Laboratory of Metal-organic Molecular Materials and Devices,School of Chemistry and Chemical Engineering,Kunming University,Kunming 650214,China;School of Physical Science and Technology,Kunming University,Kunming 650214,China)

机构地区：[1]昆明学院化学化工学院云南省金属有机分子材料与器件重点实验室,云南昆明650214 [2]昆明学院物理科学与技术学院,云南昆明650214

出　　处：《云南民族大学学报（自然科学版）》

基　　金：云南省教育厅科学研究基金(2021Y711,2022Y741).

年　　份：2023

卷　　号：32

期　　号：4

起止页码：443-448

语　　种：中文

收录情况：CAS、JST、RCCSE、ZGKJHX、ZMATH、普通刊

摘　　要：纳米级材料具有更强的光电探测性能.将制备的酞菁铜纳米线涂层在叉指电极上,系统研究了酞菁铜纳米线的光电探测性能,发现其是一种具有高响应度的光电探测材料.使用扫描电子显微镜、X线衍射、傅里叶变换红外光谱和紫外-可见光谱对酞菁铜纳米线的形貌和结构进行了表征.文中制备的酞菁铜纳米线的晶体结构为η相.通过光电性能测试,酞菁铜纳米线表现出比原料更优异的光响应.使用AM 1.5 G太阳模拟器作为光源(100 mW/cm 2),在所有偏置电压下,酞菁铜纳米线都有明显的光响应,而酞菁铜原料的光暗电流极不稳定.在紫光(395 nm)、蓝光(455 nm)、绿光(525 nm)、红光(850 nm)照射条件下,酞菁铜纳米线的光响应度远高于酞菁铜原料,是原料的7.9412×103、7.3878×103、6.0015×103、4.5648×103倍.酞菁铜纳米线相比于原料更为优异的光电特性为其在光电探测器方面的深入研究提供了基础.

关 键 词：酞菁铜 纳米线 光响应度 气相沉积 光电探测器

分 类 号：TB383.1[材料类]