文献类型：期刊文章

作　　者：丁攀[1] 尉升升[1] 张圆[1] 白娇[1] 苏艳[2] 王德君[1]

Ding Pan;Wei Shengsheng;Zhang Yuan;Bai Jiao;Su Yan;Wang Dejun(School of Control Science and Engineering,Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China;School of Physics,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China)

机构地区：[1]大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院,辽宁大连116024 [2]大连理工大学物理学院,辽宁大连116024

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61874017)。

年　　份：2023

卷　　号：48

期　　号：7

起止页码：557-562

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：SiO_(2)/SiC近界面碳缺陷是引起高温应力下SiC MOSFET可靠性劣化的主要根源。采用第一性原理密度泛函理论结合分子动力学,模拟计算了高温应力(425~625 K,间隔100 K)对SiO_(2)/SiC近界面碳缺陷(如羧基类、碳二聚体、碳三聚体等缺陷)结构和电子特性的影响。计算结果表明:施加高温应力后,羧基类碳缺陷结构稳定;碳二聚体缺陷的碳碳双键(C═C)转变为碳碳单键(C—C),且无法在SiC带隙中引入电荷态;碳三聚体缺陷在施加高温应力后转变为新的C═C和碳氧双键(C═O)复合缺陷。这种复合缺陷在SiC的价带顶和导带底附近均引入了缺陷态,有较强的电子捕获能力,是SiC MOSFET在高温应力下性能不稳定的主要因素。

关 键 词：碳化硅(SiC)  界面碳缺陷  高温应力  电子结构 电子捕获

分 类 号：TN386.1]