期刊文章详细信息
MoS_(2)/Bi_(2)Se_(3)异质结的制备及其光致发光性能研究
Preparation and photoluminescence performance of MoS_(2)/Bi_(2)Se_(3)heterostructures
文献类型:期刊文章
YU Zhiqiang;LUO Siwei;ZHONG Jianxin(Hunan Key Laboratory for Micro-Nano Energy Materials and Devices,School of Physics and Optoelectronics,Xiangtan 411105,China)
机构地区:[1]湘潭大学物理与光电工程学院,微纳能源材料与器件湖南省重点实验室,湖南湘潭411105
基 金:国家自然科学基金(11874316);教育部创新研究团队基金(IRT13093);湖南省自然科学基金(2021JJ40524)。
年 份:2023
卷 号:45
期 号:4
起止页码:1-7
语 种:中文
收录情况:AJ、CAS、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、普通刊
摘 要:二硫化钼(MoS_(2))是一种典型的二维材料,因其具备高电子迁移率、可调的带隙和高光吸收度等优异性能被广泛应用于光电子领域.二维硒化铋(Bi_(2)Se_(3))拥有随层数变化的特殊表面态.单层MoS_(2)和多层及少层Bi_(2)Se_(3)薄膜构筑成异质结构时,其光致发光性质可能发生显著改变.该文利用气相沉积法成功制备了单层MoS_(2)单晶和5层及较厚的Bi_(2)Se_(3)薄膜,并通过转移法成功构筑了基于5层及较厚的Bi_(2)Se_(3)薄膜的MoS_(2)/Bi_(2)Se_(3)垂直异质结.在此基础上,结合拉曼、光致发光(PL)测试技术,对两种异质结中的激子发光、界面间相互作用和电荷转移进行了研究,发现基于5层Bi_(2)Se_(3)的MoS_(2)/Bi_(2)Se_(3)异质结具有PL显著增强现象,而基于较厚的Bi_(2)Se_(3)的MoS_(2)/Bi_(2)Se_(3)异质结的PL却明显减弱.研究结果表明二维Bi_(2)Se_(3)随层数可变的表面态对MoS_(2)的光学性能具有显著的调制效应.
关 键 词:二维材料 MoS_(2)/Bi_(2)Se_(3) 气相沉积 异质结 光致发光
分 类 号:O439]
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