文献类型：期刊文章

作　　者：周金磊[1] 雷西虎[1] 邹本善[1] 沈应墙[1] 高锋[1]

Zhou Jinlei;Lei Xihu;Zou Benshan;Shen Yingqiang;Gao Feng(Guangxi Key Laboratory of Nonferrous Metals and Characteristic Materials Processing,School of Resources,Environment and Materials,Guangxi University,Nanning 530004,Guangxi,China)

机构地区：[1]广西大学资源环境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点实验室,广西南宁530004

出　　处：《激光与光电子学进展》

年　　份：2023

卷　　号：60

期　　号：13

起止页码：230-236

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CSCD、CSCD2023_2024、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过高温固相烧结法制备出一系列Si掺杂的Bi_(3.79)Er_(0.03)Yb_(0.18)Ti_(2.97)W_(0.03)O_(12):xSi荧光体,探索其结构和上转换荧光性能。实验与测试结果表明,在不同气氛下制备的Bi_(3.79)Er_(0.03)Yb_(0.18)Ti_(2.97)W_(0.03)O_(12)∶xSi荧光体均为单一层状类钙钛矿结构的Bi_(4)Ti_(3)O_(12)相。Si在荧光体中以Si^(4+)为主,说明即使在氩气氛围中,掺入的大部分Si也发生了氧化。Si掺杂增加了材料的致密性和表面平整度,同时减小了材料的光学带隙并增强了光吸收。在980 nm红外光激发下,所有样品的上转换发射光谱均显示以525 nm、545 nm和765 nm为中心的三个发射带,分别对应Er^(3+)4f电子层内的电子跃迁。掺硅6%摩尔分数的样品的发光强度和荧光寿命约为未掺杂Si的样品2倍,表明Si掺杂可以明显提升稀土掺杂钛酸铋基荧光体的光致发光性能。

关 键 词：材料  上转换荧光 光吸收 光学带隙 荧光寿命

分 类 号：TB34[材料类]