文献类型：期刊文章

作　　者：张圆[1] 尉升升[1] 丁攀[1] 苏艳[2] 王德君[1]

ZHANG Yuan;WEI Shengsheng;DING Pan;SU Yan;WANG Dejun(School of Control Science and Engineering,Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering,Dalian University of Technology,Dalian,Liaoning,116024,CHN;School of Physics,Dalian University of Technology,Dalian,Liaoning,116024,CHN)

机构地区：[1]大连理工大学,电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院,辽宁大连116024 [2]大连理工大学,物理学院,辽宁大连116024

出　　处：《固体电子学研究与进展》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61874017)。

年　　份：2023

卷　　号：43

期　　号：3

起止页码：208-213

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：SiC栅氧近界面碳缺陷是SiC MOSFET器件在偏压应力下可靠性劣化的主要根源。间隙碳缺陷Si2-C=O(Ci1)和O-C=C-O(Ci2)被认为是构成SiC/SiO_(2)界面缺陷能级的重要源头之一。基于第一性原理密度泛函理论,研究了不同外部电场对SiC/SiO_(2)界面处间隙碳缺陷的结构和电学性质的影响。结构键长键角计算结果表明,电场对缺陷Ci1和Ci2的结构影响较小,但施加电场后两种缺陷的形成能均减小,说明偏压应力更有助于这两种缺陷的形成。电荷态密度计算结果表明,不同大小和方向的偏压应力(电场)会改变Ci1和Ci2的缺陷能级位置。上述作用诠释了界面缺陷产生偏压应力不稳定问题的物理机制。

关 键 词：SIC 界面缺陷  偏压应力  第一性原理 缺陷构型  态密度

分 类 号：O483]