文献类型：期刊文章

作　　者：刘恒[1] 李晔[1] 杜梦超[1] 仇鹏[1] 何荧峰[1] 宋祎萌[2] 卫会云[1] 朱晓丽[1] 田丰[1] 彭铭曾[1] 郑新和[1]

Liu Heng;Li Ye;Du Meng-Chao;Qiu Peng;He Ying-Feng;Song Yi-Meng;Wei Hui-Yun;Zhu Xiao-Li;Tian Feng;Peng Ming-Zeng;Zheng Xin-He(Beijing Key Laboratory for Magneto-Photoelectrical Composite and Interface Science,School of Mathematics and Physics,University of Science and Technology Beijing,Beijing 100083,China;School of Electronic Information and Electrical Engineering,Huizhou University,Huizhou 516007,China)

机构地区：[1]北京科技大学数理学院,磁光电复合材料与界面科学北京市重点实验室,北京100083 [2]惠州学院电子信息与电气工程学院,惠州516007

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家重点研发计划(批准号:2018YFA0703700);国家自然科学基金青年科学基金(批准号:52002021);中央高校基本科研业务费(批准号:FRF-IDRY-20-037)资助的课题

年　　份：2023

卷　　号：72

期　　号：13

起止页码：212-220

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2023_2024、EAPJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：本文探究了c面蓝宝石衬底上AlGaN三元合金的等离子增强原子层沉积生长,同时结合量子点敏化太阳能电池的制备,研究了AlGaN合金的作用.AlGaN三元合金在原子层沉积过程中,薄膜与衬底的界面以及带隙都与Al组分有关.高Al组分时,AlGaN合金薄膜与衬底之间有较好的界面,然而Al组分降低时,界面变得粗糙.原子层沉积制备的AlGaN合金具有较高的带隙,与薄膜内的氧含量有关.随后,将AlN/GaN循环比例为1∶1的AlGaN薄膜分别制备CdSe/AlGaN/ZnS和CdSe/ZnS/AlGaN结构电池并进行了量子点太阳能电池的制备和分析.结果发现,AlGaN对量子点和TiO2有修饰钝化作用,可以包裹和保护TiO2和CdSe量子点结构,从而避免了光生载流子的复合.这种修饰作用也体现在改善量子点太阳能电池的开路电压、短路电流、填充因子和光电转化效率方面,尝试从原子层沉积制备的AlGaN薄膜在改变载流子传输方面进行讨论.

关 键 词：ALGAN 等离子体增强型原子层沉积  CDSE 量子点 太阳能电池  

分 类 号：TM914.4] TG178] TB383.2]