文献类型：期刊文章

作　　者：黄未霖[1] 蔡孟冶[1] 姜岩峰[1]

Huang Weilin;Cai Mengye;Jiang Yanfeng(Advanced Technology Research Institute,Department of Electronic Engineering,College of IOT Engineering,Jiangnan University,Wuxi 214122,China)

机构地区：[1]江南大学物联网工程学院电子工程系先进技术研究院,江苏无锡214122

出　　处：《半导体技术》

基　　金：江苏省自然科学基金资助项目(BK20210453)。

年　　份：2023

卷　　号：48

期　　号：6

起止页码：493-499

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于130 nm CMOS工艺设计了一款宽带低噪声放大器(LNA),适用于Ka波段的5G应用。通过降低输入阻抗与最佳源阻抗的偏差以抑制噪声,该LNA实现了宽带的最佳噪声系数匹配。一方面,该LNA采用由LC串联组合和LC并联组合构成的宽带前端网络,在取得低噪声系数的同时,实现了宽带输入匹配;另一方面,通过体隔离技术和级间电感匹配技术提高了电路增益。同时,通过并联峰值负载技术,提高了LNA的带内增益平坦度。测试结果表明,该LNA的峰值增益为11.2 dB,-3 dB带宽为7.5 GHz(29.1~36.6 GHz)。噪声系数为5.9~6.6 dB,与仿真的最小噪声系数非常接近。输入反射系数(<-10 dB)带宽为6.7 GHz(28.3~35 GHz)。该LNA在1.2 V电源电压下功耗为9 mW,芯片面积为0.54 mm2。

关 键 词：宽带输入匹配  低噪声放大器(LNA)  KA波段 噪声抑制 输入反射系数带宽  

分 类 号：TN722.3] TN432