文献类型：期刊文章

作　　者：钟毅[1] 江小帆[1] 喻甜[1] 李威[1,2] 于大全[1,2]

ZHONG Yi;JIANG Xiaofan;YU Tian;LI Wei;YU Daquan(School of Electronic Science and Engineering,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Xiamen Sky Semiconductor Technology Co.,Ltd.,Xiamen 361013,China)

机构地区：[1]厦门大学电子科学与技术学院,福建厦门361005 [2]厦门云天半导体科技有限公司,福建厦门361013

出　　处：《电子与封装》

基　　金：中央高校基本科研业务费专项资金(20720220072);国家自然科学基金青年项目(62104206)。

年　　份：2023

卷　　号：23

期　　号：3

起止页码：12-22

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：集成电路的纳米制程工艺逐渐逼近物理极限,通过异质集成来延续和拓展摩尔定律的重要性日趋凸显。异质集成以需求为导向,将分立的处理器、存储器和传感器等不同尺寸、功能和类型的芯片,在三维方向上实现灵活的模块化整合与系统集成。异质集成芯片在垂直方向上的信号互连依赖硅通孔(TSV)或玻璃通孔(TGV)等技术实现,而在水平方向上可通过再布线层(RDL)技术实现高密度互连。异质集成技术开发与整合的关键在于融合实现多尺度、多维度的芯片互连,通过三维互连技术配合,将不同功能的芯粒异质集成到一个封装体中,从而提高带宽和电源效率并减小延迟,为高性能计算、人工智能和智慧终端等提供小尺寸、高性能的芯片。通过综述TSV、TGV、RDL技术及相应的2.5D、3D异质集成方案,阐述了当前研究现状,并探讨存在的技术难点及未来发展趋势。

关 键 词：三维异质集成  先进封装 硅通孔  玻璃通孔  再布线层  

分 类 号：TN305.94]