文献类型：期刊文章

作　　者：周创[1] 蔡苇[1,2] 陈大凯[1] 杨蕊如[1] 章恒[1] 陈刚[1,2]

ZHOU Chuang;CAI Wei;CHEN Dakai;YANG Ruiru;ZHANG Heng;CHEN Gang(School of Metallurgy and Materials Engineering,Chongqing University of Science and Technology,Chongqing 401331,China;Chongqing Key Laboratory of Nano/Micro Composite Materials and Devices,Chongqing 401331,China)

机构地区：[1]重庆科技学院冶金与材料工程学院,重庆401331 [2]纳微复合材料与器件重庆市重点实验室,重庆401331

出　　处：《材料导报》

基　　金：重庆市高校创新研究群体项目(CXQT19031);重庆市科技创新领军人才支持计划(CSTCCXLJRC201919);国家级大学生创新创业训练计划项目(202011551001);重庆科技学院研究生科技创新训练计划项目(YKJCX2020219);重庆市科慧杯研究生创新创业大赛项目(10111043)。

年　　份：2023

卷　　号：37

期　　号：6

起止页码：30-35

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2023_2024、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：AgNbO_(3)无铅反铁电材料作为一种极具潜力的电介质储能材料,近年来受到了广泛的关注。然而,储能密度和储能效率较低,限制了它的应用。本工作研究了Tm^(3+)对AgNbO_(3)陶瓷的微结构、介电性、铁电性和储能性能的影响。结果表明,Tm^(3+)取代AgNbO_(3)陶瓷A位的Ag^(+),具有明显的细化晶粒的作用,增强了反铁电相的稳定性,使其储能性能显著提升。反铁电相稳定性的增强是由于Tm^(3+)的引入降低了结构的容差因子和产生了Ag空位,破坏了阳离子位移和氧八面体倾斜等长程相互作用的结果。AgNbO_(3)-0.1%(原子分数)Tm_(2)O_(3)陶瓷在200 kV/cm下表现出优异的储能性能(可回收储能密度为3.32 J/cm^(3),储能效率为62.5%),在高功率脉冲电子器件中具有潜在的应用前景。

关 键 词：AgNbO_(3)  反铁电  储能性能  弛豫行为  

分 类 号：TM225[材料类]