文献类型：期刊文章

作　　者：任智[1]

机构地区：[1]百色学院材料科学与工程学院物理系,广西壮族自治区百色市533000

出　　处：《电子技术与软件工程》

年　　份：2022

期　　号：24

起止页码：147-151

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：本文针对键合丝的配方设计和工艺改进问题,描述了与电子封装可靠性相关的三个典型应用场景。利用固体物理能带理论并结合原子自扩散的机理分析阐述了Pd 1wt%Au键合丝取代纯金线如何能有效抑制柯肯达尔效应,降低自扩散系数,从而提高焊点可靠性;在热膨胀系数的量子力学解释的基础上,分析了粗铝线在IGBT封装中失效模式的内在原因,提出了清除界面氧化膜的研发新思路;利用固溶度概念分析在粗铝线配方中加入5-20ppmSi是为了防止硅芯片和硅芯片上铝金属层中的Si向粗铝线扩撒而导致孔隙的形成。通过以上研究揭示了键合丝配方和封装工艺开发的底层物理原理,并对新产品和新工艺的开发开拓了思路。

关 键 词：电子封装 电子可靠性  量子力学 能带理论  固溶度

分 类 号：TG44] TN05]