期刊文章详细信息
硅对镉胁迫下香椿幼苗光合特性和离子吸收的影响
Effects of silicon on photosynthetic characteristics and ion absorption of Toona sinensis seedlings under cadmium stress
文献类型:期刊文章
OU Chun;CHENG Wen-hui;WANG Ze-lu;SHEN Zhong-yuan;YAO Xia-mei(Engineering Technology Research Center of Anti-aging Chinese Herbal Medicine,School of Biology and Food Engineering,Fuyang Normal University,Fuyang 236037,Anhui,China;School of Architecture and Urban Planning,Anhui JianzhuUniversity,Hefei 230022,China)
机构地区:[1]阜阳师范大学生物与食品工程学院,抗衰老中草药安徽省工程技术研究中心,安徽阜阳236037 [2]安徽建筑大学建筑与规划学院
基 金:安徽省高校自然科学研究重点项目(KJ2020A0519,KJ2020A0456);安徽省新农科研究与改革实践项目(2020xnkyjsj6);安徽省高校优秀青年人才支持计划项目(gxyq2021197);安徽建筑大学博士科研启动基金项目(2020QDZ15)资助。
年 份:2023
卷 号:42
期 号:2
起止页码:333-341
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2023_2024、GEOBASE、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:为探究硅对镉胁迫下香椿的缓解机制,以香椿幼苗为材料,采用水培法调查施加不同浓度硅(0、0.5、1.0和2.0 mmol·L^(-1))对镉(200μmol·L^(-1))胁迫下香椿幼苗的生长指标、渗透平衡、离子吸收、光合特性、抗氧化能力的影响。结果表明:镉胁迫显著抑制香椿幼苗的生长,降低其根系活力、离子含量、光合色素含量、净光合速率(Pn)、气孔导度(Gs)、蒸腾速率(Tr);而相对电导率、胞间CO_(2)浓度(Ci)、过氧化氢(H_(2)O_(2))和丙二醛(MDA)含量则显著增加。与单独镉处理相比,施加硅后,香椿幼苗的生长指标、根系活力、铁(Fe^(2+))、锰(Mn^(2+))、锌(Zn^(2+))、铜(Cu^(2+))离子含量、叶绿素和类胡萝卜素含量以及气体交换参数(除Ci)均显著提高,而镉离子(Cd^(2+))含量、相对电导率、Ci、H_(2)O_(2)和MDA的含量均显著降低。随着施硅浓度的增加,各项生理指标均呈现低促高抑的变化趋势。试验表明,镉胁迫下施加硅可以促进香椿幼苗的生长,增加其体内的离子含量,提高光合作用效率,维持细胞膜渗透平衡和清除体内活性氧,从而缓解镉胁迫对香椿幼苗的毒害作用,且硅浓度为1.0 mmol·L^(-1)时,综合缓解效果最佳。
关 键 词:香椿 镉胁迫 硅 光合特性 离子含量
分 类 号:X173] S644.4]
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