文献类型：期刊文章

作　　者：何金江[1,2] 吕保国[1,2] 贾倩[1,2] 丁照崇[1,2] 刘书芹[1,2] 罗俊锋[1,2] 王兴权[3]

He Jinjiang;Lyu Baoguo;Jia Qian;Ding Zhaochong;Liu Shuqin;Luo Junfeng;Wang Xingquan(GRIKIN Advanced Materials Co.,Ltd.,Beijing 102200,China;National Engineering Research Center for Key Materials of Integrated Circuits,Beijing 100088,China;China GRINM Group Co.,Ltd.,Beijing 100088,China)

机构地区：[1]有研亿金新材料有限公司,北京102200 [2]集成电路关键材料国家工程研究中心,北京100088 [3]中国有研科技集团有限公司,北京100088

出　　处：《中国工程科学》

基　　金：中国工程院咨询项目“我国先进有色金属材料发展战略研究”(2022-XZ-20)。

年　　份：2023

卷　　号：25

期　　号：1

起止页码：79-87

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CSCD、CSCD2023_2024、DOAJ、EAPJ、JST、NSSD、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：高纯金属溅射靶材是集成电路用关键基础材料,对实现集成电路用靶材的全面自主可控,推动集成电路产业高质量发展具有基础性价值。本文分析了集成电路用高纯金属溅射靶材的应用需求,梳理了相应高纯金属溅射靶材的研制现状,涵盖高纯铝及铝合金、高纯铜及铜合金、高纯钛、高纯钽、高纯钴和镍铂、高纯钨及钨合金等细分类别。在凝练我国高端靶材制备关键技术及工程化方面存在问题的基础上,着眼领域2030年发展目标,提出了集成电路用高纯金属溅射靶材产业的重点发展方向:提升材料制备技术水平,攻克高性能靶材制备关键技术,把握前沿需求开发高端新材料,提升材料分析检测和应用评价能力。研究建议,开展“产学研用”体系建设,解决关键设备国产化问题,加强人才队伍建设力度,掌握自主知识产权体系,拓展国际合作交流,以此提升高纯金属溅射靶材的发展质量和水平。

关 键 词：高纯金属 溅射靶材 集成电路 薄膜  金属化

分 类 号：TG146[材料类] TN04]