文献类型：期刊文章

作　　者：王辉耀[1] 宁亚茹[1] 吴凤娇[1] 赵茜[1] 陈敬[1] 朱洪强[2] 魏福贤[1] 吴雨廷[1] 熊祖洪[1]

Wang Hui-Yao;Ning Ya-Ru;Wu Feng-Jiao;Zhao Xi;Chen Jing;Zhu Hong-Qiang;Wei Fu-Xian;Wu Yu-Ting;Xiong Zu-Hong(Chongqing Key Laboratory of Micro&Nano Structure Optoelectronics,School of Physical Science and Technology,Southwest University,Chongqing 400715,China;Chongqing Key Laboratory of Optoelectronic Functional Materials,School of Physics and Electronic Engineering,Chongqing Normal University,Chongqing 401331,China)

机构地区：[1]西南大学物理科学与技术学院,微纳结构光电子学重庆市重点实验室,重庆400715 [2]重庆师范大学物理与电子工程学院,光电功能材料重庆市重点实验室,重庆401331

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:12104076,11874305);重庆自然科学基金(批准号:cstc2019jcyj-msxmX0560);重庆师范大学校级基金(批准号:21XLB050)资助的课题。

年　　份：2022

卷　　号：71

期　　号：21

起止页码：263-273

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EAPJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：有机发光二极管(OLEDs)中电致发光磁效应(MEL)是一种能够揭示多种激发态微观过程的探测工具.最新研究成果(Tang X T,Pan R H,Zhao X,Jia W Y,Wang Y,Ma C H 2020 Adv.Funct.Mater.5765)表明:将低浓度的红荧烯(Rubrene)分子掺杂在一定主体作为发光层的OLEDs中,存在一种高能三重态激子(T_(2,Rub))的反向系间窜越过程(HL-RISC,S_(1,Rub)←T_(2,Rub)).但本文发现:以Rubrene作为纯发光层且其两边的载流子传输层也不存在T_(2,Rub)激子的能量损失通道的OLEDs中,在室温下只观察到单重态激子(S_(1))的分裂过程(S_(1)+S_(0)→T_(1)+T_(1)),却没能观察到该T_(2,Rub)激子的HL-RISC过程;而且,最基本的因电子和空穴在纯Rubrene发光层中直接注入形成极化子对(polaron-pair,PP_(1)和PP_(3))的系间窜越过程(ISC,PP_(1)→PP_(3))也没有被观察到.为了揭示该反常现象背后的微观物理机制,以纯Rubrene分子和质量分数为5%的Rubrene掺杂主体作为发光层来制备器件,并对两种器件的MEL进行变温实验.对所得实验结果比对分析后发现:室温下PP态的ISC和T_(2,Rub)激子的HL-RISC产生的MEL正好完全相互抵消,这是采用MEL在纯Rubrene作为发光层的OLEDs中同时观察不到ISC和HL-RISC的物理原因,这种如此巧合的物理现象在文献中还未曾报道.

关 键 词：红荧烯  磁电致发光  系间窜越  高能态反向系间窜越  

分 类 号：TN383.1]