文献类型：期刊文章

作　　者：沈洁[1,2] 王倩[1] 陈后鹏[1,3] 倪圣兰[1,2] 宋志棠[1]

SHEN Jie;WANG Qian;CHEN Houpeng;NI Shenglan;SONG Zhitang(Shanghai Institute of Microsyst.and Inform.Technol.&State Key Lab.of Functional Materials for Inform.,Chinese Academy of Sci.,Shanghai 200050,P.R.China;Schools of Microelec.,Univ.of Chinese Academy of Sci.,Beijing100049,P.R.China;Shanghai Technol.Development and Entrepreneurship Platform for Neuromorphic and AI SoC,Shanghai 200090,P.R.China)

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所、信息功能材料国家重点实验,上海200050 [2]中国科学院大学微电子学院,北京100049 [3]上海神经形态与人工智能SoC技术发展与创业平台,上海200090

出　　处：《微电子学》

基　　金：国家重点研发计划项目(2017YFA0206101,2017YFA0206104,2018YFB0407500);国家自然科学基金资助项目(61874178,61874129,91964204,61904186,61904189);中国科学院战略性重点研究计划项目(XDB44010200);上海市科学技术委员会计划项目(17DZ2291300,19JC1416801);上海航行计划项目(19YF1456100)。

年　　份：2022

卷　　号：52

期　　号：3

起止页码：383-387

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、IC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对无片外电容型低压差线性稳压器(LDO)瞬态响应差的问题,基于40 nm CMOS工艺设计了一种带瞬态负载变化感知的无片外电容型LDO电路。采用有源前馈频率补偿,实现了电路稳定;瞬变检测电路感应负载的变化,为功率管栅极提供充、放电通路,减弱了输出电压波动。仿真结果表明,负载电流在0~100 mA范围内,该LDO的输出过冲电压和下冲电压分别为100 mV和140 mV,稳定时间在1μs以内。全负载电流范围内,瞬态性能大幅提升。

关 键 词：无片外电容 LDO 快速瞬态响应  

分 类 号：TN432] TN86