文献类型：期刊文章

作　　者：陈昊[1] 陈鹏忠[1,2] 彭孝军[1,3]

CHEN Hao;CHEN Pengzhong;PENG Xiaojun(State Key Laboratory of Fine Chemicals,Frontiers Science Center for Smart Materials Oriented Chemical Engineering,Dalian University of Technology,Dalian 116024,Liaoning,China;Ningbo Institute of Dalian University of Technology,Ningbo 315016,Zhejiang,China;Dalian Technical Shenzhen Research Institute,Shenzhen 518057,Guangdong,China)

机构地区：[1]大连理工大学精细化工国家重点实验室,智能材料化工前沿科学中心,辽宁大连116024 [2]大连理工大学宁波研究院,浙江宁波315016 [3]大连理工大学深圳研究院,广东深圳518057

出　　处：《化工学报》

基　　金：国家自然科学基金重大项目(22090011);国家自然科学基金青年基金项目(22008024);山东省重点研发计划项目(2021CXGC010308)。

年　　份：2022

卷　　号：73

期　　号：8

起止页码：3307-3325

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CSCD、CSCD2021_2022、EAPJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：由于具有光源波长短(13.5 nm)、图案化分辨率高等优点,极紫外(extreme ultraviolet,EUV)光刻技术被认为是突破5 nm甚至是3 nm半导体芯片制程节点的关键技术,与之相对应的EUV光刻胶研发广受关注。但传统的基于聚合物体系的化学放大光刻胶(chemical amplified resist,CAR)因尺寸过大、对EUV吸收低,限制了其在EUV光刻技术的应用进程。部分含有d轨道电子的金属元素具有高的EUV吸收截面,在光刻胶分子中引入这些金属元素可以有效提高对EUV的灵敏度。通过分子设计制备尺寸小、EUV吸收高的金属基光刻胶材料是解决EUV光刻胶服役性能问题的有效途径,已得到了广泛的研究。本文按金属氧簇(MOCs)、金属氧化物纳米粒子(NP)、金属-有机小分子(MORE)进行分类,对目前国内外的EUV光刻胶研究进展进行总结,并对EUV光刻胶未来所面临的机遇和挑战进行了展望。

关 键 词：极紫外光  光刻胶 集成电路 光敏性 抗刻蚀性  

分 类 号：TQ028.8]