文献类型：期刊文章

作　　者：纪执敬[1] 凌惠琴[1] 吴培林[2] 余瑞益[2,3] 于大全[2,3] 李明[1]

Zhi-Jing Ji;Hui-Qin Ling;Pei-Lin Wu;Rui-Yi Yu;Da-Quan Yu;Ming Li(School of Materials Science and Engineering,Shanghai Jiao Tong University,Shanghai 200240,China;Xiamen Sky Semiconductor Co.,Ltd.,Xiamen 361026,China;School of Electronic Science and Engineering,Xiamen University,Xiamen 361104,China)

机构地区：[1]上海交通大学材料科学与工程学院,上海200240 [2]厦门云天半导体科技有限公司,福建厦门361026 [3]厦门大学电子科学与技术学院,福建厦门361104

出　　处：《电化学》

年　　份：2022

卷　　号：28

期　　号：6

起止页码：42-61

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD_E2021_2022、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：随着摩尔定律的发展迟缓,微电子器件的高密度化、微型化对先进封装技术提出了更高的要求。中介层技术作为2.5D/3D封装中的关键技术,受到了广泛研究。按照中介层材料不同,主要分为有机中介层、硅中介层以及玻璃中介层。与硅通孔(through silicon via,TSV)互连相比,玻璃通孔(through glass via,TGV)中介层(interposer)因其具有优良的高频电学特性、工艺简单、成本低以及可调的热膨胀系数(coefficient of thermal expansion,CTE)等优点,在2.5D/3D先进封装领域受到广泛关注。然而玻璃的导热系数(约1 W·m^(-1)·K^(-1))与硅(约150 W·m^(-1)·K^(-1))相比要低很多,因此玻璃中介层存在着严重的散热问题。为得到高质量的TGV中介层,不仅需要高效低成本的通孔制备工艺,还需要无缺陷的填充工艺,目前玻璃中介层面临的挑战也主要集中在这两方面。本文首先介绍了TGV的制备工艺,如超声波钻孔(ultra-sonic drilling,USD)、超声波高速钻孔(ultra-sonic high speed drilling,USHD)、湿法刻蚀、深反应离子刻蚀(deep reactive ion etching,DRIE)、光敏玻璃、激光刻蚀、激光诱导深度刻蚀(laser induced deep etching,LIDE)等。接着围绕TGV的无缺陷填充进行总结,概述了TGV的几种填充机理以及一些填充工艺,如bottom-up填充、蝶形填充以及conformal填充。然后对TGV电镀添加剂的研究进展进行了介绍,包括典型添加剂的作用机理以及一些新型添加剂的研究现状,最后并对TGV实际应用情况进行了简要综述。

关 键 词：中介层  玻璃通孔  填充机理  填充工艺  添加剂

分 类 号：TQ153.14] TN405.97]