文献类型：期刊文章

作　　者：周晓丹[1,2] 刘涛[2] 付东兵[2] 李强[1] 刘杰[3] 郭刚[4]

ZHOU Xiaodan;LIU Tao;FU Dongbing;LI Qiang;LIU Jie;GUO Gang(School of Electronic Science and Engineering,UESTC,Chengdu 610054,P.R.China;Chongqing GigaChip Technology Co.,Ltd.,Chongqing 401332,P.R.China;Institute of Modern Physics,Chinese Academy of Sciences,Lanzhou 730099,P.R.China;China Institute of Atomic Energy,Beijing 102413,P.R.China)

机构地区：[1]电子科技大学电子科学与工程学院,成都610054 [2]重庆吉芯科技有限公司,重庆401332 [3]中国科学院兰州近代物理研究所,兰州730099 [4]北京原子能研究院,北京102413

出　　处：《微电子学》

基　　金：模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目(6142802010101)。

年　　份：2022

卷　　号：52

期　　号：2

起止页码：295-300

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、IC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：设计并实现了一种抗辐射低功耗流水线型8位ADC。对流水线型结构的分辨率影响进行分析,确定了最优的级间分辨率和流水线结构。采用多种电路的结构设计,降低了电路功耗。为达到抗辐射指标,对电路进行了抗辐射加固设计。测试结果表明,在3 V电源电压、100 MHz时钟输入频率、70.1 MHz模拟输入频率的条件下,该ADC的SFDR为59.6 dBc,稳态总剂量能力为2500 Gy(Si),单粒子闩锁阈值为75 MeV·cm^(2)/mg,功耗为69 mW。该ADC采用0.35μm CMOS工艺制作,面积为0.75 mm^(2)。该ADC适用于空间环境的通信系统。

关 键 词：模数转换器 流水线 低功耗 抗辐射

分 类 号：TN792]