文献类型：期刊文章

作　　者：尹勇生[1] 雷蕾[1] 范学莲[1] 邓红辉[1]

YIN Yongsheng;LEI Lei;FAN Xuelian;DENG Honghui(School of Microelectronics,Hefei University of Technology,Hefei 230009,P.R.China)

机构地区：[1]合肥工业大学微电子学院,合肥230009

出　　处：《微电子学》

基　　金：安徽省高校协同创新项目(PA2019AGXC0127)。

年　　份：2022

卷　　号：52

期　　号：2

起止页码：260-264

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、IC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：设计了一种采用65 nm CMOS工艺的无源噪声整形SAR ADC电路。该电路在SAR ADC的基础上仅增加6个开关和2个电容,以实现噪声整形,整体电路结构简单,有效提高了SAR ADC精度。此外,实现了2倍的无源增益,增强了对比较器噪声的抑制作用。构建具有良好噪声抑制效果的噪声传递函数,避免使用残差采样模块和多路比较器。仿真结果表明,设计的10位噪声整形SAR ADC电路在33.3 MHz采样率、2.08 MHz带宽、1.2 V输入电压的情况下,有效位数达12.4位,功耗为459μW。

关 键 词：噪声整形 逐次逼近  模数转换器

分 类 号：TN432] TN792