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期刊文章详细信息

DRAM的现状及发展方向    

  

文献类型:期刊文章

作  者:任智源[1] 杨伦[1] 柴凯中[1]

机构地区:[1]湖北师范大学先进材料研究院,湖北黄石074000

出  处:《电子元器件与信息技术》

基  金:湖北省高校优秀中青年科技创新团队项目“基于表界面调控的能源转换材料特性与应用研究”(项目编号:T2021010,2021.01-2024.12)。

年  份:2022

卷  号:6

期  号:4

起止页码:1-4

语  种:中文

收录情况:普通刊

摘  要:动态随机存取存储器(DRAM)具有低延迟、高带宽的特点,应用于电子器件中的内存芯片。本文综述了DRAM芯片的现状、其面临的挑战和发展前景,介绍了DRAM器件的结构、基本原理和关键功能,还介绍了在工艺制程微缩过程中,科研人员就短沟道效应带来的漏致势垒降低、漏电电流过大、速度饱和、热载流子效应等问题提出的技术解决方案。针对当前DRAM面临的刷新时间过短、电容器可靠性低等问题,介绍了无电容结构DRAM的研究状况。未来对于更高级别的DRAM单元设计,可能在工艺、材料、电路设计等方面做出创新。

关 键 词:DRAM 半导体存储器 短沟道效应 晶体管

分 类 号:TN36]

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同被引文献:

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