期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]湖北师范大学先进材料研究院,湖北黄石074000
基 金:湖北省高校优秀中青年科技创新团队项目“基于表界面调控的能源转换材料特性与应用研究”(项目编号:T2021010,2021.01-2024.12)。
年 份:2022
卷 号:6
期 号:4
起止页码:1-4
语 种:中文
收录情况:普通刊
摘 要:动态随机存取存储器(DRAM)具有低延迟、高带宽的特点,应用于电子器件中的内存芯片。本文综述了DRAM芯片的现状、其面临的挑战和发展前景,介绍了DRAM器件的结构、基本原理和关键功能,还介绍了在工艺制程微缩过程中,科研人员就短沟道效应带来的漏致势垒降低、漏电电流过大、速度饱和、热载流子效应等问题提出的技术解决方案。针对当前DRAM面临的刷新时间过短、电容器可靠性低等问题,介绍了无电容结构DRAM的研究状况。未来对于更高级别的DRAM单元设计,可能在工艺、材料、电路设计等方面做出创新。
关 键 词:DRAM 半导体存储器 短沟道效应 晶体管
分 类 号:TN36]
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