文献类型：期刊文章

作　　者：李艳丽[1] 刘显和[1] 伍强[1]

Li Yanli;Liu Xianhe;Wu Qiang(School of Microelectronics,Fudan University,Shanghai 201203,China)

机构地区：[1]复旦大学微电子学院,上海201203

出　　处：《激光与光电子学进展》

基　　金：复旦大学引进人才科研启动项目(JIH1233018,JIH1233020)。

年　　份：2022

卷　　号：59

期　　号：9

起止页码：76-92

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CSCD、CSCD2021_2022、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：光刻技术是半导体集成电路技术发展的主要推动技术,其不断提高的分辨率与图形复制精度成功地将集成电路制造线宽从40多年前的2~3μm缩小到先进的10~15 nm。在发展过程中,众多先进的技术不断涌现,如投影式光刻、相移掩模版、化学放大型光刻胶、光学邻近效应修正等,及时确保了摩尔法则按时向前推进。以投影光刻发展的历史为主线,从0.25μm到当今的5 nm再到未来的先进技术节点,对每个关键的技术节点的工艺要求与工艺窗口进行分析,包括采用的新技术及其作用,以展示光刻工艺与相关技术的整体面貌,给读者专业技术的参考。

关 键 词：光刻 光刻工艺 光刻机 光刻胶 掩模版

分 类 号：TN432]