文献类型：期刊文章

作　　者：董哲康[1,2] 钱智凯[1] 周广东[3] 纪晓悦[2] 齐冬莲[2] 赖俊升[4]

DONG Zhekang;QIAN Zhikai;ZHOU Guangdong;JI Xiaoyue;QI Donglian;LAI Junsheng(School of Electronic Information,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018,China;College of Electrical Engineering,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China;School of Artificial Intelligence,Southwest University,Chongqing 400715,China;Department of Electronic and Computer Engineering,Brunel University London,London UB83PH,United Kingdom)

机构地区：[1]杭州电子科技大学电子信息学院,杭州310018 [2]浙江大学电气工程学院,杭州310027 [3]西南大学人工智能学院,重庆400715 [4]英国伦敦布鲁奈尔大学电子与计算机工程系,伦敦UB83PH

出　　处：《电子与信息学报》

基　　金：国家自然科学基金(62001149);浙江省自然科学基金(LQ21F010009)。

年　　份：2022

卷　　号：44

期　　号：6

起止页码：2080-2092

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CSCD、CSCD2021_2022、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：联想记忆是一种描述生物学习和遗忘过程的重要机制,对构建神经形态计算系统和模拟类脑功能有重要的意义,设计并实现联想记忆电路成为人工神经网络领域内的研究热点。巴甫洛夫条件反射实验作为联想记忆的经典案例之一,其硬件电路的实现方案仍然存在电路设计复杂、功能不完善以及过程描述不清晰等问题。基于此,该文融合经典的条件反射理论和纳米科学技术,提出一种基于忆阻的全功能巴甫洛夫联想记忆电路。首先,基于水热合成法和磁控溅射法制备了Ag/TiO_(x)nanobelt/Ti结构的忆阻器,通过电化学工作站、四探针测试台和透射电子显微镜联合完成相应的性能测试;接着,利用测试得到的电化学数据,构建了Ag/TiO_(x)nanobelt/Ti忆阻器的数学模型和SPICE电路模型,并通过客观评价验证模型的精确度;进一步,基于提出的Ag/TiO_(x)nanobelt/Ti忆阻器模型,设计了一种全功能巴甫洛夫联想记忆电路,通过电路描述和功能分析,论述了该电路能够正确模拟巴甫洛夫实验中2类学习过程和3类遗忘过程;最后,通过一系列计算机仿真和分析,验证了所提方案的正确性和有效性。

关 键 词：忆阻器  联想记忆 巴普洛夫条件反射  电路实现 性能测试  

分 类 号：TN601] TP183]